Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=2.9 A, 4针, SOT-223, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 892-2236P
- 制造商零件编号:
- BSP613PH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 130mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 10.8W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 40mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 长度 | 40mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2.9A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 SIPMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 130mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 10.8W | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 40mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.5mm | ||
长度 40mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS系列MOSFET，60V最大漏源电压，2.9A最大连续漏极电流 - BSP613PH6327XTSA1
该MOSFET是一款P沟道增强型晶体管，专为严苛环境中的表面贴装功率开关应用而设计。它为汽车和工业系统提供受控的门极驱动开关操作，兼具中等电流处理能力和温度耐受性，以支持高温运行和紧凑的电路板布局。
特性和优点：
• 60V 漏源额定值可实现中等电压开关
• 2.9A的持续漏极电流，支持稳定的负载输出
• 最大130mΩ的导通电阻，可降低导通损耗
• 22nC典型栅极电荷，简化了栅极驱动装置的选型
• 10.8W最大功耗，支持持续功率处理
• 工作范围为-55°C至175°C，适用于极端温度环境
• 2.9A的持续漏极电流，支持稳定的负载输出
• 最大130mΩ的导通电阻，可降低导通损耗
• 22nC典型栅极电荷，简化了栅极驱动装置的选型
• 10.8W最大功耗，支持持续功率处理
• 工作范围为-55°C至175°C，适用于极端温度环境
应用
• 适用于汽车电子领域的负载切换
• 适用于工业高温控制电路
• 与紧凑型电源稳压器配合使用，用于表面贴装设计
• 可用于极性保护和反向电流保护电路
• 用于中低电流电池管理功能
• 适用于工业高温控制电路
• 与紧凑型电源稳压器配合使用，用于表面贴装设计
• 可用于极性保护和反向电流保护电路
• 用于中低电流电池管理功能
组装需要采用哪种安装方式？
它采用SOT-223 4引脚表面贴装封装，兼容标准SMT回流焊工艺和常见的PCB布局焊盘。
设计人员应遵守哪些栅极电压限制？
栅源极间允许的最大电压为 20V，因此栅极驱动电路必须保持在此阈值范围内，以避免器件承受过大应力。
正向电压对于系统设计有何影响？
约1.1V的正向电压可用于计算导通期间的功率损耗，并有助于确定实际应用中的热管理需求。
该器件是否适用于汽车级项目？
它符合AEC-Q101标准，因此适用于多种汽车电子模块应用。