Name: Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 70 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS 3系列
Brand: Infineon
SKU: 892-2346
Price: 11.71 CNY
Availability: LimitedAvailability

英飞凌 OptiMOS™ 3 系列 MOSFET，70A 最大连续漏极电流，79W 最大功率耗散 - IPP048N04NGXKSA1

这种 MOSFET 适用于高效功率应用，是各种电子系统的重要元件。它具有低导通电阻和强大的功率耗散能力，可确保在具有挑战性的环境中保持稳定的性能。

特点和优势

• 支持高达 70A 的连续漏极电流

• 最大漏极-源极电压为 40V，适用范围更广

• 单一增强模式设计提高了运行效率

• 4.8 mΩ 的低最大漏极-源极电阻最大限度地减少了发热量

• 79 瓦的功率耗散能力优化了热管理

• 适应 -20V 至 +20V 的栅极电压波动，提高了栅极驱动的通用性

应用

• 自动化系统中的电源电路

• 电机控制在工业环境中

• 用于高效能源管理的电源转换器

• 可再生能源系统有效处理电力

• 大电流开关电子学

该元件的工作温度范围是多少？

工作温度范围为 -55 °C 至 +175 °C，确保在各种条件下有效运行。

它可以并联使用吗？

是的，只要有适当的热管理，并联使用是可以提高电流处理能力的。

为达到最佳性能，建议使用何种闸门驱动水平？

为获得最佳性能，建议在 10V 至 20V 之间驱动栅极，并遵守最大栅极阈值限制。

在使用该设备的应用中如何管理散热？

使用适当的散热器并确保印刷电路板布局合理，可以有效管理散热。

IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS

优化技术，用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道，逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)

极低导通电阻 R DS(on)

无铅电镀

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

单位	每单位	每包*
10 - 10	RMB10.359	RMB103.59
20 - 20	RMB10.048	RMB100.48
30 +	RMB9.745	RMB97.45

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	70A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	OptiMOS 3
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	4.8mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	31nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	0.89V
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	79W
	最高工作温度	175°C
	高度	15.95mm
	标准/认证	No
	长度	10.36mm
	宽度	4.572 mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 70A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 OptiMOS 3
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 4.8mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 0.89V
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 79W
	最高工作温度 175°C
	高度 15.95mm
	标准/认证 No
	长度 10.36mm
	宽度 4.572 mm
	汽车标准否

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 70 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS 3系列