Infineon P沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=100 V, 980 mA, SOT-223封装, 表面贴装, 3 + Tab引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
892-2361
制造商零件编号:
BSP321PH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

P

最大连续漏极电流

980 mA

最大漏源电压

100 V

封装类型

SOT-223

安装类型

贴片

引脚数目

3 + Tab

最大漏源电阻值

900 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2.1V

最大功率耗散

1.8 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

宽度

1.6mm

典型栅极电荷@Vgs

9 nC @ 10 V

长度

6.5mm

最高工作温度

+150 °C

系列

SIPMOS

高度

3.5mm

正向二极管电压

1.2V

最低工作温度

-55 °C

Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET


Infineon SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。