Infineon N型沟道 增强型 功率晶体管, Vds=600 V, 23.8 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IPW60R160C6FKSA1, CoolMOS C6系列

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制造商零件编号:
IPW60R160C6FKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

功率晶体管

最大连续漏极电流 Id

23.8A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

CoolMOS C6

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.16Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

75nC

最大功耗 Pd

176W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

高度

21.1mm

标准/认证

JEDEC J-STD20, JESD22, Pb-Free Plating

长度

16.13mm

宽度

5.21 mm

汽车标准

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


MOSFET 晶体管,Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。