Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=120 V, 56 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
897-7201
制造商零件编号:
IPB144N12N3GATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

56 A

最大漏源电压

120 V

封装类型

D2PAK (TO-263)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

14.7 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

107 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

长度

10.31mm

宽度

9.45mm

典型栅极电荷@Vgs

37 nC @ 10 V

最高工作温度

+175 °C

高度

4.572mm

正向二极管电压

1.2V

最低工作温度

-55 °C

系列

OptiMOS 3

豁免

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。