Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 30 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS™ C6系列

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包装方式：
RS 库存编号:
897-7204P
制造商零件编号:
IPW60R125C6FKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

30 A

最大漏源电压

650 V

系列

CoolMOS™ C6

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

125 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.5V

最小栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

219 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

宽度

5.21mm

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

96 nc @ 10 v

长度

16.13mm

最低工作温度

-55 °C

高度

21.1mm

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。