Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS CE系列, Vds=550 V, 9.9 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
897-7535
制造商零件编号:
IPD50R380CEATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

9.9 A

最大漏源电压

550 V

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

380 mΩ

通道模式

增强

最大功率耗散

73 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

长度

6.73mm

典型栅极电荷@Vgs

24.8 nC @ 10 V

宽度

6.22mm

晶体管材料

Si

系列

CoolMOS CE

正向二极管电压

0.85V

高度

2.41mm

最低工作温度

-55 °C

豁免

Infineon CoolMOS™ CE 功率 MOSFET



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。