Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=250 V, 64 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB200N25N3GATMA1, OptiMOS 3系列

RS 库存编号:: 898-6870
制造商零件编号:: IPB200N25N3GATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=250 V, 64 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB200N25N3GATMA1, OptiMOS 3系列

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制造商零件编号:: IPB200N25N3GATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	64A
	最大漏源电压 Vd	250V
	系列	OptiMOS 3
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	20mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	64nC
	最大功耗 Pd	300W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1V
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最高工作温度	175°C
	宽度	9.45 mm
	标准/认证	No
	长度	10.31mm
	高度	4.57mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 64A
	最大漏源电压 Vd 250V
	系列 OptiMOS 3
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 20mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 64nC
	最大功耗 Pd 300W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1V
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最高工作温度 175°C
	宽度 9.45 mm
	标准/认证 No
	长度 10.31mm
	高度 4.57mm
	汽车标准否

英飞凌 OptiMOS™ 3 系列 MOSFET，64A 最大连续漏极电流，300W 最大功率耗散 - IPB200N25N3GATMA1

这款 N 沟道 MOSFET 专为各种电子应用中的高效电源管理而设计，具有 64A 的最大连续漏极电流和 250V 的额定电压。其强大的散热性能和低导通电阻有助于在宽温度范围内实现有效的电气性能，使其适用于高频开关和同步整流。

特点和优势

• 最佳栅极电荷 x RDS（导通）乘积可提高效率

• 低导通电阻最大限度地减少了运行过程中的功率损耗

• 工作温度最高可达 +175°C ，可满足各种应用需求

• 符合 RoHS 和无卤素标准，实现环保使用

• 紧凑型 D2PAK 设计和表面贴装便于集成

• 通过 JEDEC 目标应用可靠性认证

应用

• 用于自动化系统的电源

• 适用于可再生能源领域的高效转换器

• 用于工业机械的电机控制

• 台式机电源同步整流的理想选择

• 应用于电动汽车，实现有效的能源管理

在安装过程中应采取哪些措施确保最佳性能？

必须保持有效的热管理系统来散热，确保设备在规定的温度范围内运行。

这种元件能否用于需要快速切换的应用中？

是的，由于其快速开关能力，它适用于直流-直流转换器和驱动器等高频应用。

是否建议采用特定的电路设计以达到最佳使用效果？

适当的栅极驱动器电路可以提高性能，特别是在导通和关断时间方面，这有助于降低开关损耗。

运行期间应考虑哪些环境条件？

确保将其放置在温度保持在 -55°C 至 +175°C 工作温度范围内的环境中，以防止热降解。

这种 MOSFET 在重负载条件下的性能如何？

它能有效处理 64A 的持续漏极电流，同时保持较低的导通电阻，从而减少过热现象，提高负载下的可靠性。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=250 V, 64 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB200N25N3GATMA1, OptiMOS 3系列