Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=150 V, 13 A, TSDSON封装, 表面贴装, 8引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
898-6886
制造商零件编号:
BSZ900N15NS3GATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

13 A

最大漏源电压

150 V

封装类型

TSDSON

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

91 mΩ

通道模式

增强

最大功率耗散

38 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

长度

3.4mm

宽度

3.4mm

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

5 nC @ 10 V

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

最低工作温度

-55 °C

系列

OptiMOS 3

高度

1.1mm

正向二极管电压

1.2V

豁免

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。