Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=250 V, 61 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS FD系列

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包装方式：
RS 库存编号:
898-6983P
制造商零件编号:
IPP220N25NFDAKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

61 A

最大漏源电压

250 V

封装类型

TO-220

系列

OptiMOS FD

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

22 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

300 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

长度

10.36mm

最高工作温度

+175 °C

典型栅极电荷@Vgs

65 nC @ 10 V

宽度

4.57mm

最低工作温度

-55 °C

高度

15.95mm

正向二极管电压

1.2V

不适用

Infineon OptiMOS™ FD 功率 MOSFET


英飞凌 OptiMOS FD 系列 MOSFET，61A 最大连续漏极电流，300W 最大功率耗散 - IPP220N25NFDAKSA1


这款 MOSFET 专为需要高效电源管理的高性能应用而设计。凭借其 N 沟道增强模式配置和强大的规格，它在自动化、电子和电气系统等领域发挥着至关重要的作用。它的最大连续漏极电流为 61A，击穿电压为 250V，可在具有挑战性的环境中提供可靠性和热性能。

特点和优势


• 低导通电阻提高了运行时的能效
• 大电流能力支持各种应用
• 工作温度最高可达 +175°C ，增强了多功能性
• 针对硬换向进行了优化，更加坚固耐用
• 符合 RoHS 和无卤素规定，促进环保
• 高效的栅极电荷特性确保有效开关

应用


• 用于自动化设备的电源转换电路中
• 工业机械大功率电机驱动的理想选择
• 常用于电子设备的电源
• 适用于汽车电源管理系统
• 用于可再生能源系统的逆变器

最大功率耗散能力是多少？


它的最大功率耗散可达 300W，确保了在高负载情况下的性能。

它在高温环境下的性能如何？


这种 MOSFET 可在高达 +175°C 的温度下连续工作，适用于极端条件。

它能处理脉冲漏极电流吗？


是的，该器件可管理高达 244A 的脉冲漏极电流，有利于瞬态负载应用。

Rds(on) 值较低有何意义？


22mΩ 的低 Rds(on)降低了运行过程中的功率损耗并提高了效率，这对能源敏感型应用至关重要。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。