Name: onsemi N/P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 2.2 A，3 A, SSOT-6, 贴片安装, 6引脚, PowerTrench系列
Brand: onsemi
SKU: 903-4147
Price: 4.80 CNY
Availability: InStock

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	通道类型	N，P
	最大连续漏极电流	2.2 A，3 A
	最大漏源电压	20 V
	封装类型	SSOT-6
	系列	PowerTrench
	安装类型	贴片
	引脚数目	6
	最大漏源电阻值	106 mΩ, 190 mΩ
	通道模式	增强
	最小栅阈值电压	0.5V
	最大功率耗散	960 mW
	晶体管配置	隔离式
	最大栅源电压	-12 V、+12 V
	宽度	1.7mm
	典型栅极电荷@Vgs	3.3 nC @ 4.5 V，3.7 nC @ 4.5 V
	最高工作温度	+150 °C
	每片芯片元件数目	2
	长度	3mm
	晶体管材料	Si
	最低工作温度	-55 °C
	正向二极管电压	1.2V
	高度	1mm

	选择全部
	品牌 onsemi
	通道类型 N，P
	最大连续漏极电流 2.2 A，3 A
	最大漏源电压 20 V
	封装类型 SSOT-6
	系列 PowerTrench
	安装类型贴片
	引脚数目 6
	最大漏源电阻值 106 mΩ, 190 mΩ
	通道模式增强
	最小栅阈值电压 0.5V
	最大功率耗散 960 mW
	晶体管配置隔离式
	最大栅源电压 -12 V、+12 V
	宽度 1.7mm
	典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 4.5 V，3.7 nC @ 4.5 V
	最高工作温度 +150 °C
	每片芯片元件数目 2
	长度 3mm
	晶体管材料 Si
	最低工作温度 -55 °C
	正向二极管电压 1.2V
	高度 1mm

PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管

Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

单位	每单位	每包*
25 - 725	RMB4.244	RMB106.10
750 - 1475	RMB4.117	RMB102.93
1500 +	RMB3.994	RMB99.85