Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 28 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, EF Series系列
- RS 库存编号:
- 903-4504
- 制造商零件编号:
- SiHB28N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 包，共 2 件）*
¥79.31
(不含税)
¥89.62
(含税)
最后的 RS 库存
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 + | RMB39.655 | RMB79.31 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 903-4504
- 制造商零件编号:
- SiHB28N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 28 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 系列 | EF Series | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 123 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 250 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 28 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
系列 EF Series | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 123 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 250 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
宽度 9.65mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V | ||
长度 10.67mm | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
高度 4.83mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 MOSFET，带快速二极管，EF 系列，Vishay Semiconductor
减少反向恢复时间、反向恢复电荷和反向恢复电流
低品质因数 (FOM)
低输入电容 (Ciss)
由于低反向恢复电荷，提高了坚固性
超低栅极电荷 (Qg)
低品质因数 (FOM)
低输入电容 (Ciss)
由于低反向恢复电荷，提高了坚固性
超低栅极电荷 (Qg)
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor