Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 28 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, EF系列

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RS 库存编号:
903-4504P
制造商零件编号:
SiHB28N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

28A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-263

系列

EF

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

123mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

250W

最大栅源电压 Vgs

30 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

长度

10.67mm

标准/认证

No

宽度

9.65 mm

高度

4.83mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET,带快速二极管,EF 系列,Vishay Semiconductor


减少反向恢复时间、反向恢复电荷和反向恢复电流

低品质因数 (FOM)

低输入电容 (Ciss)

由于低反向恢复电荷,提高了坚固性

超低栅极电荷 (Qg)

MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor