Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=37 A, 3针, TO-220, OptiMOS 3系列
- RS 库存编号:
- 906-2956P
- 制造商零件编号:
- IPA105N15N3GXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 906-2956P
- 制造商零件编号:
- IPA105N15N3GXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 37A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 40.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.65mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.85mm | |
| 高度 | 16.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 37A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 11.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 40.5W | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.65mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.85mm | ||
高度 16.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。