Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=100 A, 8针, TDSON, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 906-4280P
制造商零件编号:: BSC011N03LSATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=100 A, 8针, TDSON, OptiMOS系列

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RS 库存编号:: 906-4280P
制造商零件编号:: BSC011N03LSATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	TDSON
	系列	OptiMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.4mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	96W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	36nC
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	正向电压 Vf	1V
	最高工作温度	150°C
	长度	6.1mm
	标准/认证	No
	高度	1.1mm
	宽度	5.35mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 TDSON
	系列 OptiMOS
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 96W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	正向电压 Vf 1V
	最高工作温度 150°C
	长度 6.1mm
	标准/认证 No
	高度 1.1mm
	宽度 5.35mm
	汽车标准否

Infineon OptiMOS系列MOSFET，30V最大漏源电压，100A最大连续漏极电流 - BSC011N03LSATMA1

该MOSFET是一种功率开关器件，专为表面贴装组件的大电流、低电压应用而设计。它可在宽环境温度范围内运行，专为需要高效传导和快速切换的严苛热环境及电气环境而设计。

特性和优点：

• 导通电阻低至1.4mΩ，可降低导通损耗
• 具备 100A 的高持续漏极电流能力，可处理重负载
• 峰值功耗96W，支持更高的功率传输
• 1V低正向电压提高了转换效率
• 典型栅极电荷为36nC，可实现快速栅极转换
• 额定栅极容差20V，可防止栅极过压应力

应用

• 适用于服务器的同步降压转换器
• 适用于大电流电机驱动装置级应用
• 与电信机架的配电模块配合使用
• 可用于变频器的DCDC电源转换
• 适用于电池管理与充电系统

在持续运行状态下，设计人员应预留怎样的热限值？

该器件规定的工作温度范围为-55°C至150°C，因此，热管理应确保在预期功耗下将结温保持在此范围内。

栅极电荷对驱动要求有何影响？

典型栅极电荷为 36nC，栅极驱动器必须快速提供足够的电荷，以实现所需的开关速度，同时最大限度减少转换损耗。

为确保可靠性能，需要考虑哪些安装注意事项？

该元件采用8引脚TDSON表面贴装封装，尺寸为6.1 x 5.35mm，因此PCB焊盘布局和焊角应兼顾热传导和机械稳定性。

哪些电气额定值决定了最大开关电压和电流？

该器件的最大漏源电压为30V，连续漏极电流额定值为100A

开关拓扑应保持在这些电气限值范围内。