Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=100 A, 8针, TDSON, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 906-4292P
- 制造商零件编号:
- BSC039N06NSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 906-4292P
- 制造商零件编号:
- BSC039N06NSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27nC | |
| 最大功耗 Pd | 69W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 5.35mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC | ||
最大功耗 Pd 69W | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 5.35mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
豁免
Infineon OptiMOS 5系列MOSFET，60V最大漏源电压，100A最大连续漏极电流 - BSC039N06NSATMA1
这款MOSFET是一款紧凑型N沟道开关器件，专为高电流电源应用而设计，能够在宽温度范围内实现稳健运行。它适用于表面‑贴装组装，并为高要求的电子系统提供高效传导和开关性能。
特性和优点：
• 导通电阻低至5.9mΩ，可降低导通损耗
• 连续漏极电流高达100A，支持重负载处理
• 60V 漏源额定电压，提供充裕的电压裕量
• 栅极电荷低至27nC，可实现更快的开关速度和更低的驱动能耗
• 最大功耗69W，可持续承受热负载
• 连续漏极电流高达100A，支持重负载处理
• 60V 漏源额定电压，提供充裕的电压裕量
• 栅极电荷低至27nC，可实现更快的开关速度和更低的驱动能耗
• 最大功耗69W，可持续承受热负载
应用
• 适用于电源的同步降压转换器
• 适用于需要高持续电流的电机‑驱动级应用
• 用于电信设备的DCDC转换器
• 可用于服务器和数据中心配电模块
• 适用于工业开关和电源‑管理组件
• 适用于需要高持续电流的电机‑驱动级应用
• 用于电信设备的DCDC转换器
• 可用于服务器和数据中心配电模块
• 适用于工业开关和电源‑管理组件
该设备在运行过程中可承受哪些极端温度？
其指定工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C，可在严苛的热环境中使用。
电路板组装需要哪种封装和安装方式？
该元件采用8‑引脚TDSON封装，专为表面‑贴装和回流焊工艺而设计。
什么是沟道模式？它对切换操作有何影响？
它采用增强型‑N沟道结构，需要正栅‑源驱动电压才能导通，并兼容传统的低‑边和高‑边开关拓扑。
在设计过程中必须遵守哪种栅‑极驱动电压限制？
最大允许的栅极‑到源极‑电压为20V，设计时应将栅极电压波动保持在此阈值范围内以避免损坏。