Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=100 A, 8针, TDSON, OptiMOS P系列
- RS 库存编号:
- 906-4309P
- 制造商零件编号:
- BSC030P03NS3GAUMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商:
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 140nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | -25V, +25V | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 正向电压 Vf | -1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.35mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 OptiMOS P | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 140nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs -25V, +25V | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
正向电压 Vf -1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.1mm | ||
长度 6.1mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.35mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS P系列MOSFET，30V最大漏源电压，100A最大连续漏极电流 - BSC030P03NS3GAUMA1
该MOSFET是一款专为需要大电流处理和宽温工作范围的表面贴装应用而设计的功率开关晶体管。该器件作为P沟道增强型器件运行，用于严苛环境中的电源轨控制及开关级电路，在宽温度范围内兼顾开关性能与持续电流承载能力。
特性和优点：
• 100A连续漏极电流，可实现高负载开关操作
• 125W最大功耗，支持重载热负载
• 4.6mΩ的低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗
• 30V最大Vds，支持中压电源轨控制
• 典型栅极电荷为140nC，兼顾驱动功耗和开关速度
• 25V 栅极耐压能力确保稳健的栅极驱动裕量
• 125W最大功耗，支持重载热负载
• 4.6mΩ的低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗
• 30V最大Vds，支持中压电源轨控制
• 典型栅极电荷为140nC，兼顾驱动功耗和开关速度
• 25V 栅极耐压能力确保稳健的栅极驱动裕量
应用
• 适用于大电流配电模块
• 适用于电源的同步整流
• 与电池管理和电源转换系统配合使用
• 可用于电机驱动装置的低边开关操作
• 用于在宽温范围内承受热应力的电子设备
• 适用于电源的同步整流
• 与电池管理和电源转换系统配合使用
• 可用于电机驱动装置的低边开关操作
• 用于在宽温范围内承受热应力的电子设备
我应该在 PCB 上设计哪种封装类型?
它采用8引脚TDSON表面贴装封装，需要焊盘与8引脚导热垫片及周围焊盘相匹配，以确保可焊性和散热性能。
环境温度对于允许的运行有何影响？
该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在极寒和高温结温条件下保持正常功能，但是，动态电流限值将取决于热管理状况。
就开关性能而言，哪些栅极驱动因素至关重要？
典型总栅极电荷约为140nC，可用于确定驱动器的选型
驱动器必须提供足够的电流，以便在所需的转换时间内完成开关动作，同时确保不超过 25V 的栅源极最大额定电压。
正向电压特性对于反向导通有何影响？
该器件在相关方向上的导通期间呈现-1.1V正向电压，这会影响在续流或同步配置中的导通损耗。