Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=100 A, 8针, TDSON, OptiMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
906-4362P
制造商零件编号:
BSC011N03LSIATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TDSON

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.7V

最大功耗 Pd

96W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

34nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

150°C

宽度

5.35mm

标准/认证

No

高度

1.1mm

长度

6.1mm

汽车标准

否

豁免

Infineon OptiMOS系列MOSFET，30V最大漏源电压，100A最大连续漏极电流 - BSC011N03LSIATMA1


该MOSFET是一种功率开关晶体管，专为表面贴装组件的大电流、低电压应用而设计。它可在宽温度范围内运行，适用于需要高效传导和快速栅极控制的场合。该器件采用八引脚TDSON封装，旨在直接贴装在电路板表面。

特性和优点：


• 导通电阻低至1.4mΩ，可降低导通损耗
• 连续漏极电流高达100A，支持重负载
• 低正向电压Vf 0.7V，提高了负载条件下的效率
• 34nC的适中栅极电荷，支持相对快速的开关操作
• 最大漏源电压30V，适用于低压功率级应用
• 功耗96W，可承受较高的热应力

应用


• 适用于电源的同步降压转换器
• 适用于需要大电流的电机驱动级应用
• 用于高放电系统的电池管理电路
• 可用于电信设备的DCDC转换器
• 用于表面贴装电路板的大电流负载开关操作

为确保安全运行，我应遵守哪些栅极电压限制？


栅源极额定电压上限为 20V，因此栅极驱动电压应保持在此范围内，以避免对介质层或栅极氧化层造成应力损伤。

热性能与极端环境条件有何关联？


该器件规定的工作结温范围为-55°C至150°C，在采取适当的热管理措施后，可用于温度变化较大的环境。

在安装和封装布局方面有哪些注意事项？


它以八引脚TDSON封装形式提供，用于表面贴装

确保PCB上的散热过孔和覆铜区域能够承受96W的功耗以及大电流路径。

沟道类型对于电路拓扑的选择有何影响？


N沟道增强型模式需要栅极相对于源极施加正电压才能导通，因此适合用作低边开关或同步电路中的开关。

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