Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=40 A, 8针, TDSON, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 906-4390P
- 制造商零件编号:
- BSZ042N06NSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最大功耗 Pd | 69W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最大功耗 Pd 69W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 3.4mm | ||
长度 3.4mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
豁免
Infineon OptiMOS 5 系列 MOSFET，60V 漏源电压，40A连续漏极电流 - BSZ042N06NSATMA1
该MOSFET是一款硅N沟道增强型器件，适用于表面贴装应用的高功率开关操作。它可在宽温度范围内运行，旨在处理电源转换和开关级应用常见的大电流和高电压。该组件采用薄型 TDSON 封装，适用于需要热性能和电气性能的紧凑型组件。
特性和优点：
• 60V漏极额定值，可实现稳健的中压开关控制
• 40A持续电流能力，支持高负载电路
• 6.3mΩ的低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗
• 典型栅极电荷为27nC，可实现更快的栅极转换
• 69W功耗支持持续功率处理
• 40A持续电流能力，支持高负载电路
• 6.3mΩ的低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗
• 典型栅极电荷为27nC，可实现更快的栅极转换
• 69W功耗支持持续功率处理
应用
• 适用于同步降压转换器级
• 适用于电机驱动器半桥组件
• 与服务器电源的DC-DC电源模块配合使用
• 可用于电池管理和充电电路
• 适用于电机驱动器半桥组件
• 与服务器电源的DC-DC电源模块配合使用
• 可用于电池管理和充电电路
我应该考虑哪些栅极驱动因素？
在规定的栅极电压下，典型栅电荷为27nC，这需要驱动器能够提供和吸收足够的峰值电流，以实现所需的开关速度，同时避免过多的转换损耗。
该封装形式对热性能有何影响？
TDSON 8引脚封装布局为PCB提供低热阻路径，当配合适当的覆铜面积和散热过孔用于高功耗场景时，能够实现有效的热传递。
它在运行时能够耐受的温度范围是多少？
它适用于从深冷到高温环境的宽工作温度范围，能够满足处于极端条件下的设计需求。
器件特性对于切换行为有何影响？
低导通电阻与适中栅极电荷的结合，兼顾低导通损耗与可控的开关转换，适用于注重效率的功率级应用。