Infineon P沟道增强型MOS管 OptiMOS P系列, Vds=30 V, 22.5 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
906-4397
制造商零件编号:
BSC130P03LSGAUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

P

最大连续漏极电流

22.5 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

TDSON

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

13 mΩ

通道模式

增强

最大功率耗散

69 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-25 V、+25 V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

长度

6.1mm

典型栅极电荷@Vgs

54.9 nC @ 10 V

宽度

5.35mm

高度

1.1mm

最低工作温度

-55 °C

系列

OptiMOS P

正向二极管电压

1.2V

不适用

Infineon OptiMOS™P P通道功率MOSFET


Infineon OptiMOS™ P通道功率MOSFET设计用于提供增强功能，以满足高质量性能要求。功能包括超低开关损耗，通态电阻，雪崩额定值以及通过AEC认证的汽车解决方案。应用包括DC-DC，电机控制，汽车和eMobility。

增强模式
耐雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合RoHS标准
标准封装
OptiMOS™P通道系列：温度范围为-55°C至+175°C


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。