Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=300 A, 8针, HSOF, OptiMOS 5系列

RS 库存编号:: 906-4407P
制造商零件编号:: IPT007N06NATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=300 A, 8针, HSOF, OptiMOS 5系列

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RS 库存编号:: 906-4407P
制造商零件编号:: IPT007N06NATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	300A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	OptiMOS 5
	包装类型	HSOF
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	375W
	正向电压 Vf	1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	216nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	最高工作温度	175°C
	长度	10.58mm
	高度	2.4mm
	宽度	10.1mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 300A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 OptiMOS 5
	包装类型 HSOF
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 375W
	正向电压 Vf 1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 216nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	最高工作温度 175°C
	长度 10.58mm
	高度 2.4mm
	宽度 10.1mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Infineon OptiMOS 5系列MOSFET，60V最大漏源电压，300A最大连续漏极电流 - IPT007N06NATMA1

该MOSFET是一款大电流N沟道增强型器件，专为严苛电子系统的电源开关应用而设计。该器件可在宽温度范围内工作，适用于恶劣环境，并采用表面贴装HSOF封装，以支持紧凑的电路板布局和高效的热管理。

特性和优点：

• 60V 漏极额定值，支持中压电源设计
• 300A持续电流处理能力，支持重载切换
• 1mΩ导通电阻，可降低大电流路径中的导通损耗
• 375W 功耗，支持持续高功率运行
• 典型栅极电荷为216nC，满足可预测的栅极驱动需求
• ±20V栅极耐受能力，支持稳健的栅极驱动瞬态过程

应用

• 适用于服务器和数据中心电源转换级应用
• 适用于电机驱动装置变频器的输出级应用
• 用于PSU的大电流同步整流
• 可用于电信设备的DCDC转换器
• 适用于工业电源管理和驱动系统

在连续运行状态下，设计人员应关注哪些热限制参数？

该器件的额定耗散功率高达 375W

设计人员必须确保有足够的PCB铜箔、散热过孔或电子散热片，以在系统功率损耗的情况下将结温保持在可接受的范围内。

栅极电荷对于驱动电路的选择有何影响？

典型栅极电荷为216nC，栅极驱动器必须提供足够的峰值电流和开关速度，以实现所需的转换时间，同时管理开关损耗和电磁干扰（EMI）。

该器件的具体机械安装方式和引脚数量是怎样的？

它采用八引脚 HSOF 表面贴装封装，可为大电流路径提供低电感板级连接。

在系统设计中，预期的工作温度范围是多少？

该元件规定的工作温度范围为-55°C至175°C，在采用适当的热设计措施后，即可在热环境严苛的条件下使用。