Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 84 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 906-4422
- 制造商零件编号:
- IPP120N20NFDAKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB68.885 | RMB137.77 |
| 10 - 48 | RMB65.85 | RMB131.70 |
| 50 - 98 | RMB63.645 | RMB127.29 |
| 100 - 248 | RMB63.165 | RMB126.33 |
| 250 + | RMB62.75 | RMB125.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 906-4422
- 制造商零件编号:
- IPP120N20NFDAKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 84 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 12 MΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 300 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4.57mm | |
| 高度 | 9.45mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 84 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
系列 OptiMOS | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 12 MΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 300 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.36mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 65 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4.57mm | ||
高度 9.45mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
Infineon OptiMOS™ FD 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。