STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 45 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 907-4741P
- 制造商零件编号:
- SCT30N120
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计 1 件 (按管提供)*
¥167.82
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(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB167.82 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 907-4741P
- 制造商零件编号:
- SCT30N120
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 45A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | Hip-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 100mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 105nC | |
| 最大功耗 Pd | 270W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 3.5V | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 高度 | 20.15mm | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 45A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 Hip-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 100mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 105nC | ||
最大功耗 Pd 270W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 3.5V | ||
最高工作温度 200°C | ||
宽度 5.15 mm | ||
高度 20.15mm | ||
长度 15.75mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道碳化硅 (SiC) MOSFET，STMicroelectronics
碳化硅 (SiC) MOSFET 具有非常低的静电释放源接通电阻，用于 1200V 额定电压，并具有极佳的切换性能，可转换为更高效率和紧凑的系统。