Texas Instruments N沟道增强型MOS管 NexFET系列, Vds=30 V, 11 A, VSCONP封装, 表面贴装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 908-3849
- 制造商零件编号:
- CSD17579Q3AT
- 制造商:
- Texas Instruments
不可供应
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- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 11 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | VSCONP | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 14.2 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 3.2 瓦 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.5mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.3 nC @ 4.5 V | |
| 宽度 | 3.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 正向二极管电压 | 1V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 系列 | NexFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 11 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 VSCONP | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 14.2 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 3.2 瓦 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.3 nC @ 4.5 V | ||
宽度 3.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 0.9mm | ||
正向二极管电压 1V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
系列 NexFET | ||
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
MOSFET 晶体管，Texas Instruments