Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=100 V, 90 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚

查看所有MOSFET
库存信息目前无法查询
RS 库存编号:
911-0774
制造商零件编号:
BSC060N10NS3GATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

90 A

最大漏源电压

100 V

封装类型

TDSON

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

6 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.5V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

125 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

典型栅极电荷@Vgs

51 nC @ 10 V

宽度

6.1mm

每片芯片元件数目

1

长度

5.35mm

最高工作温度

+150 °C

高度

1.1mm

最低工作温度

-55 °C

系列

OptiMOS 3

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。