Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 2系列, Vds=100 V, 71 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚

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RS 库存编号:
911-0783
制造商零件编号:
BSC123N10LSGATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

71 A

最大漏源电压

100 V

封装类型

TDSON

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

16.6 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.4V

最小栅阈值电压

1.2V

最大功率耗散

114 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

6.1mm

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

长度

5.35mm

典型栅极电荷@Vgs

51 nC @ 10 V

最低工作温度

-55 °C

高度

1.1mm

系列

OptiMOS 2

Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列


Infineon OptiMOS™2 N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 OptiMOS 2 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。