Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=200 V, 660 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚, SIPMOS系列

RS 库存编号:: 911-0929
制造商零件编号:: BSP297H6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=200 V, 660 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚, SIPMOS系列

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制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	660mA
	最大漏源电压 Vd	200V
	系列	SIPMOS
	包装类型	SOT-223
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	1.8Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	12.9nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	1.8W
	正向电压 Vf	0.84V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	高度	1.6mm
	宽度	3.5 mm
	长度	6.5mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 660mA
	最大漏源电压 Vd 200V
	系列 SIPMOS
	包装类型 SOT-223
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 1.8Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.9nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 1.8W
	正向电压 Vf 0.84V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	高度 1.6mm
	宽度 3.5 mm
	长度 6.5mm
	汽车标准 AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

英飞凌 SIPMOS® 系列 MOSFET，660mA 最大连续漏极电流，1.8W 最大功率耗散 - BSP297H6327XTSA1

这款 MOSFET 专为在各种电子应用中实现高效开关性能而设计。它的最大连续漏极电流为 660mA，击穿电压为 200V，适用于各种环境。其表面贴装设计简化了与自动化系统的集成，因此适用于电子和汽车领域。

特点和优势

• N 沟道配置提高了开关效率

• 栅极阈值电压低，确保与逻辑电平兼容

• 额定电压高，适用于各种应用

• 增强的功率耗散能力支持有效的热管理

• AEC-Q101 资格认证符合汽车行业标准

• 紧凑型 SOT-223 封装支持节省空间的设计

应用

• 用于汽车系统中的电机控制

• 应用于消费电子产品的电源管理

• 用于电池管理系统的能量调节

• 用于通信设备的信号放大

• 开关模式电源的理想选择，可提高效率

要达到最佳性能，最高工作温度是多少？

该元件可在高达 +150°C 的温度下有效运行，确保在高温条件下的稳定性。

如何安装 MOSFET 才能达到最佳效果？

利用表面贴装技术安装在兼容的印刷电路板上，确保正确焊接以保持连接完整性。

这种 MOSFET 由哪种材料制成？

它由硅（Si）制成，这有助于提高其在各种用途中的性能和可靠性。

在运行过程中能否承受严酷的电压条件？

是的，它的最大漏极-源极击穿电压为 200V，适合高压应用。

栅极电荷对其性能有何影响？

在 10V 电压下，典型的栅极总电荷为 12.9nC，确保了快速开关时间和更高的电路效率。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 660 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚, SIPMOS系列