Infineon N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=600 V, 120 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚, SIPMOS系列

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RS 库存编号:
911-4805
制造商零件编号:
BSP135H6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

120mA

最大漏源电压 Vd

600V

系列

SIPMOS

包装类型

SOT-223

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

45Ω

通道模式

消耗

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3.7nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

1.8W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

6.5mm

高度

1.6mm

宽度

3.5 mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY

英飞凌 SIPMOS® 系列 MOSFET，120 mA 最大连续漏极电流，1.8 W 最大功率耗散 - BSP135H6327XTSA1


这种 MOSFET 适用于高效开关应用，以其高电压处理能力和低功耗特性而著称。作为单 N 沟道耗尽模式 MOSFET，它非常适合需要紧凑型表面贴装解决方案的各种电子应用。它的最大漏极-源极电压为 600V，非常适合注重效率和可靠性的汽车和电源管理行业。

特点和优势


• 利用 SIPMOS® 技术提高效率

• 支持高达 600V 的高压容量，确保运行可靠性

• 额定 120mA 的低功耗提高了能源效率

• 专为表面贴装应用而设计，具有节省空间的优势

• 额定 1A 静电放电保护，可保护敏感电路

• 通过 AEC-Q101 汽车认证，符合行业标准

应用


• 适用于电子设备的电源管理解决方案

• 用于低电压 具有高压能力

• 集成在包装中，实现高效热管理

• 用于需要坚固元件的控制电路中

热阻值对性能有何影响？


热阻表明设备的散热效果，确保设备在连续使用过程中在安全范围内运行。较低的热阻值可以通过改善热管理来提高性能，尤其是在大电流应用中。

这种 MOSFET 能否胜任高频开关应用？


是的，它具有低栅极电荷特性，可在高频环境下高效运行，适合各种现代电子应用。

在安装和兼容性方面有哪些注意事项？


必须确认安装类型符合电路板设计，以优化性能并避免潜在的热管理或连接问题。

最大功率耗散对其应用有何影响？


由于最大功率耗散为 1.8 瓦，因此必须确保使用功率不超过这一限制，以防止过热和潜在故障。适当的热管理在设计中至关重要。

栅极源极电压有哪些限制？


栅极源极电压的范围为 -20V 至 +20V，必须遵守这一范围，才能在不损坏器件或影响性能的情况下保持有效运行。