Infineon N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=200 V, 660 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 911-4808
- 制造商零件编号:
- BSP149H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- BSP149H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 660mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.8Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.8W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 宽度 | 3.5 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 660mA | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 SIPMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.8Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 1.8W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.6mm | ||
长度 6.5mm | ||
宽度 3.5 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
英飞凌 SIPMOS® 系列 MOSFET，660mA 最大连续漏极电流，1.8W 最大功率耗散 - BSP149H6327XTSA1
这款 MOSFET 是专为各种电子应用而设计的重要元件，采用紧凑型表面贴装封装，性能卓越。它非常适合控制自动化电路，与电子、电气和机械行业的用户息息相关。耗尽模式特性增强了开关应用的控制能力，是工程师的理想选择。
特点和优势
• 最大漏极-源极电压为 200V，适用于高压应用
• 连续漏极电流能力高达 660mA
• 采用 SIPMOS 技术，性能始终如一
• 符合 RoHS 规范，采用无铅镀层
• 额定 dv/dt 值可提高对电压变化的适应能力
应用
• 驱动器 在自动化系统中
• 用于能源管理的开关电源
• 符合 AEC-Q101 标准的汽车电子设备
耗尽模式特性有何意义？
耗尽模式可有效控制 MOSFET，即使在较低的电压下也能实现有效开关，有利于各种电子设计。
设备如何应对热挑战？
它的工作温度范围很宽，从 -55°C 到 +150°C 不等，在有效的热管理功能支持下，即使在极端的热条件下也能确保可靠的性能。
该元件的栅极阈值电压是多少？
栅极阈值电压范围为 -2.1V 至 -1V，为不同的电路要求提供了多种开关选项。
ESD 等级有何影响？
静电放电等级 1B 表明其设计可承受 500V 至 600V 的静电放电，从而提高了器件在敏感应用中的可靠性。