Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 1.8 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 911-4827
- 制造商零件编号:
- BSP295H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 911-4827
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- BSP295H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 300mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14nC | |
| 最大功耗 Pd | 1.8W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 宽度 | 3.5 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1.8A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 SIPMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 300mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC | ||
最大功耗 Pd 1.8W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.5mm | ||
高度 1.6mm | ||
宽度 3.5 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌 SIPMOS® 系列 MOSFET，1.8A 最大连续漏极电流，1.8W 最大功率耗散 - BSP295H6327XTSA1
这款 MOSFET 专为自动化和电子领域的高性能应用而设计。其 N 沟道配置与高效的表面贴装设计相结合，可实现有效的电流控制，适用于各种工业应用。它支持 60V 的最大漏极-源极电压，确保各种项目的性能始终如一。
特点和优势
• 可持续处理 1.8A 的漏极电流
• 最大漏极-源极电阻低至 300mΩ
• 栅极-源极电压范围宽，从 -20V 到 +20V
• 符合 AEC-Q101 汽车可靠性标准
应用
• 有效控制输出的电源管理系统
• 用于可靠开关操作的电机驱动器
• 各种电子设备中的信号放大
• 汽车电子控制单元
元件的典型功耗是多少？
在规定条件下，它的耗散功率可达 1.8W，可在运行过程中有效控制热量。
栅极阈值电压对性能有何影响？
最大栅极阈值电压为 1.8V，这使得 MOSFET 能够在低输入电平下实现最佳性能。
该元件能否处理脉冲漏极电流？
是的，它的额定脉冲漏极电流高达 6A，可有效管理瞬态条件。
有哪些包装选项？
该 MOSFET 采用 SOT-223 表面贴装封装，专为节省空间的设计而优化。
设备是否符合环保标准？
它采用无铅电镀，符合 RoHS 规范，符合现代环保要求。