Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 47 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS C3系列
- RS 库存编号:
- 911-4849
- 制造商零件编号:
- SPW47N60C3FKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 911-4849
- 制造商零件编号:
- SPW47N60C3FKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 47A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolMOS C3 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 70mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 415W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 252nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 5.3 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 高度 | 20.95mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 47A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolMOS C3 | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 70mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 415W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 252nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 5.3 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 15.9mm | ||
高度 20.95mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
英飞凌 CoolMOS™ C3 系列 MOSFET，47A 最大连续漏极电流，415W 最大功率耗散 - SPW47N60C3FKSA1
这款高压 MOSFET 专为电力电子应用而设计。它采用 N 沟道配置，可在各种环境下提供稳定的性能。它能够处理 47A 的连续漏极电流，可用于多种工业和自动化用途，确保开关任务的可靠性和有效性。
特点和优势
• 性能卓越，最高额定电压达 650V
• 70mΩ 的低最大漏极-源极电阻提高了能效
• 415 瓦的强大功率耗散能力可支持密集型应用
• 配置为增强模式的通道可改善控制效果
• 专为通孔安装而设计，可直接集成
应用
• 适用于可再生能源的能量转换
• 用于电机驱动电路以提高效率
• 用于电源管理系统，提高稳定性
操作该设备的最佳温度范围是多少？
该器件可在 -55°C 至 +150°C 温度范围内高效运行，从而提高了在各种环境下的可靠性。
如何与现有电气系统整合？
这款 MOSFET 专为通孔安装而设计，与标准 PCB 布局兼容，易于集成。
使用该组件时有哪些安全注意事项？
确保栅极源极电压保持在 -20V 至 +20V 之间至关重要，以防止在运行过程中损坏并保持系统稳定性。