Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 80 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 912-8696
- 制造商零件编号:
- IRF8010PBF
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 管，共 50 件）*
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB17.693 | RMB884.65 |
| 100 - 150 | RMB17.163 | RMB858.15 |
| 200 + | RMB16.648 | RMB832.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 912-8696
- 制造商零件编号:
- IRF8010PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 15 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大功率耗散 | 260 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.69mm | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 15.24mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 15 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大功率耗散 260 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.69mm | ||
长度 10.54mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 15.24mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
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MOSFET 晶体管，Infineon
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