Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 17 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 913-3803
- 制造商零件编号:
- IRLU024NPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 75 件）*
¥186.075
(不含税)
¥210.30
(含税)
有库存
- 300 件将从其他地点发货
- 另外 3,000 件在 2026年2月19日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | RMB2.481 | RMB186.08 |
| 150 - 225 | RMB2.419 | RMB181.43 |
| 300 - 675 | RMB2.359 | RMB176.93 |
| 750 + | RMB2.30 | RMB172.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 913-3803
- 制造商零件编号:
- IRLU024NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 17A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | IPAK | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 65mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 45W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2.39 mm | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 17A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 IPAK | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 65mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 45W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2.39 mm | ||
高度 6.22mm | ||
长度 6.73mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，17A 最大连续漏极电流，55V 最大漏极源极电压 - IRLU024NPBF
这款 MOSFET 是一款高性能功率器件，专为电气和机械行业的苛刻应用而设计。它采用增强模式配置，可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内有效工作。它的尺寸小巧，长 6.73 毫米、宽 2.39 毫米、高 6.22 毫米，可轻松集成到各种电子设备中。
特点和优势
• 最大持续漏极电流为 17A
• 最大漏极-源极电压为 55V
• 支持最大 45W 功率耗散
• 适合高温应用的坚固设计
• 兼容通孔安装，实现多功能安装
应用
• 用于电机控制系统，实现精确调节
• 适用于开关模式电源，实现高效能量转换
• 适用于工业自动化设备，性能可靠
• 用于消费电子产品，改善电源管理
• 适用于需要大电流的电源管理电路
该设备的导通电阻有何意义？
65mΩ 的低 Rds(on)确保在工作期间将能量损失降至最低，从而提高了使用该特定器件设计的电路的整体效率。在电子应用中，这一特性还能支持更大的电流，而不会产生过热问题。
这种 MOSFET 在高温环境下的性能如何？
该设备可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内可靠运行，适用于工业机械和汽车应用等热应力较大的环境。
它能处理脉冲漏极电流吗？
是的，该器件支持高达 72A 的脉冲漏极电流，为需要短时大电流的各种动态开关应用提供了灵活性。