Infineon N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=40 V, 202 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 913-3837
- 制造商零件编号:
- IRF1404PBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 913-3837
- 制造商零件编号:
- IRF1404PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 202A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.004Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 131nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大功耗 Pd | 333W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 202A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.004Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 131nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大功耗 Pd 333W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.83 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.67mm | ||
高度 8.77mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，202A 最大连续漏极电流，333W 最大功率耗散 - IRF1404PBF
这款功率 MOSFET 专为在各种应用中实现高效率和高可靠性而设计，因此对于自动化、电子和电气工程领域的专业人士来说非常重要。所采用的先进加工技术确保了最小的导通电阻和较宽的工作温度范围，从而扩大了其适用性。
特点和优势
• 202A 的连续漏极电流支持强劲的性能
• 4mΩ 的低 Rds(on) 值提高了能效
• 快速切换功能提高了整体性能
• 可在高达 175°C 的高温下工作
• 采用硅 MOSFET 技术，实现有效的热管理
• 采用 TO-220AB 封装，可直接安装
应用
• 用于工业自动化系统中的高效功率开关
• 适用于大电流电机控制和驱动
• 供电的理想选择 效率优先
• 用于可再生能源系统，实现有效的电源管理
可以管理哪种类型的电压？
该器件的漏极和源极之间可支持高达 40V 的电压水平，为各种电压调节应用提供了多功能性。
低导通电阻对系统效率有何影响？
较低的 Rds（on）大大降低了运行过程中的功率损耗，从而最大限度地减少了能源浪费，提高了系统效率。
运行时能承受的温度是多少？
其设计可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内高效运行，因此适用于具有挑战性的环境。
它能处理脉冲漏极电流吗？
是的，它可以容纳高达 808A 的脉冲漏极电流，为不同的应用需求提供了灵活性。
TO-220AB 封装有什么意义？
TO-220AB 封装便于有效散热和方便安装，适用于商业和工业用途。