Infineon , 1 N型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 210 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列, IRFP3703PBF
- RS 库存编号:
- 913-3840
- 制造商零件编号:
- IRFP3703PBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRFP3703PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 210A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TO-247AC | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 3.8W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 5.3 mm | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 高度 | 20.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 210A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TO-247AC | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 3.8W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 5.3 mm | ||
长度 15.9mm | ||
高度 20.3mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，210A 最大连续漏极电流，3.8W 最大功率耗散 - IRFP3703PBF
这种大电流 MOSFET 对于需要高效电源管理的应用至关重要。其 HEXFET 技术可确保其满足各种工业和电子用途的性能标准。作为一种 N 沟道器件，它能为稳健高效的半导体系统提供强大的电流处理能力和有效的电压控制。
特点和优势
• 可处理高达 210A 的连续漏极电流
• 2.8mΩ 的低导通电阻最大限度地减少了功率损耗
• 针对高速运行进行了优化，可快速开启和关闭
• 单晶体管配置简化了电路设计
应用
• 用于电源管理系统，实现高效开关
• 应用于同步整流以增强能量转换
• 集成在工业自动化设备中，运行可靠
• 用于要求高效率和最小发热量的电源中
• 适用于汽车 需要耐用部件
该设备最适合哪类应用？
由于具有大电流处理能力和高电压能力，该设备在电源管理，特别是同步整流和工业自动化方面表现出色。
高持续漏极电流对性能有何影响？
持续管理 210A 的能力可实现高效的能量传输，同时减少发热，从而提高整体性能和可靠性。
低电阻有什么影响？
2.8mΩ 的低导通电阻大大降低了运行过程中的功率损耗，提高了效率，并有助于高负载条件下的热管理。
此设备可处理哪些工作温度范围?
它能在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内有效工作，适用于各种苛刻的环境。
MOSFET 的配置如何改进电路设计？
单晶体管配置简化了电路布局，减少了所需元件的数量，同时确保了在高速应用中的可靠运行。