Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 74 A, TO-262, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 913-3913
- 制造商零件编号:
- IRF4905LPBF
- 制造商:
- Infineon
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- IRF4905LPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 74A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-262 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 3.8W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 180nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 10.54mm | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 74A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-262 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 20mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.3V | ||
最大功耗 Pd 3.8W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 180nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 10.54mm | ||
宽度 4.83 mm | ||
长度 10.67mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，-70A 最大连续漏极电流，3.8W 最大功率耗散 - IRF4905LPBF
这款英飞凌 MOSFET 采用 P 沟道配置，能够处理 -70A 连续漏极电流，最大漏极-源极电压为 55V。它专为高性能应用而设计，尤其是在需要有效电源管理和高效率的电子电路中。它适用于自动化和电子领域的用户，可在各种环境下可靠运行。
特点和优势
• 高温下性能更强，最高可达 +175°C
• 低 RDS(on)，减少运行时的功率损耗
• 快速切换功能可提高效率
• 可承受反复雪崩条件而不发生故障
• 有效的栅极电荷特性可提高电路响应速度
应用
• 用于高能效设备的电源管理电路
• 无刷直流电机控制的理想之选
• 适用于汽车电子设备，提高可靠性
• 适用于需要坚固组件的工业自动化系统
运行时可承受的电压类型是什么？
它能承受 55V 的最大漏极-源极电压，适合中高压应用。
该设备能否在高温下运行？
是的，它的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，可以在极端条件下工作。
低 RDS(on) 对电路设计有何益处？
低 RDS(on) 降低了传导损耗，从而提高了效率，降低了电力应用中的发热量。
该元件是否与典型的 PCB 设计兼容？
是的，它专为通孔安装而设计，可无缝集成到各种电子设计中使用的标准 PCB 布局中。
该 MOSFET 的栅极阈值电压是多少？
栅极阈值电压的最大值为 4V，最小值为 2V，确保电路在低电压下也能正常开关。