Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 65 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 913-3932
- 制造商零件编号:
- IRFB4227PBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB13.751 | RMB687.55 |
| 100 - 150 | RMB13.407 | RMB670.35 |
| 200 - 450 | RMB13.072 | RMB653.60 |
| 500 + | RMB12.745 | RMB637.25 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 913-3932
- 制造商零件编号:
- IRFB4227PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 65A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 24mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 70nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 330W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.82 mm | |
| 长度 | 10.66mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 9.02mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 65A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 24mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 70nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 330W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.82 mm | ||
长度 10.66mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 9.02mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon
电动机控制 MOSFET
Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
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