Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 130 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 913-3979
制造商零件编号:: IRFB4310PBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 130 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 913-3979
制造商零件编号:: IRFB4310PBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	130A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	7mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	170nC
	正向电压 Vf	1.3V
	最大功耗 Pd	300W
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最高工作温度	175°C
	长度	10.66mm
	宽度	4.82 mm
	标准/认证	No
	高度	9.02mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 130A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 7mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 170nC
	正向电压 Vf 1.3V
	最大功耗 Pd 300W
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最高工作温度 175°C
	长度 10.66mm
	宽度 4.82 mm
	标准/认证 No
	高度 9.02mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: MX

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，130A 最大连续漏极电流，300W 最大功率耗散 - IRFB4310PBF

这款坚固耐用的高效功率晶体管专为自动化、电子和电气行业的高性能应用而设计。N 沟道技术在电源管理和开关功能方面具有优势。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，增强了在各种环境下的通用性和可靠性。

特点和优势

• 支持高达 130A 的连续漏极电流，可满足大量负载需求

• 工作电压最高可达 100 伏，实用性更强

• 7 mΩ 的低 RDS（on）最大限度地减少了功率损耗

• 具有增强模式操作功能，可提高效率

• 集成雪崩和动态 dV/dt 功能，坚固耐用

• 完全表征电容，实现精确的性能优化

应用

• 用于高效同步整流系统

• 用于不间断电源，提供可靠的能源备份

• 适用于高速功率开关电路

• 专为硬开关和高频设计

低 RDS(on) 对效率有何影响？

低 RDS（on）降低了运行期间的发热量，从而提高了功率传输效率。

雪崩能力的意义何在？

雪崩功能可保护器件免受过高电压尖峰的影响，从而在苛刻条件下保持稳定的性能。

该设备能否用于高频应用？

是的，这种 MOSFET 专为高频电路而设计，适合各种高级应用。

它在高温下能承受的最大电流是多少？

在 100°C 的外壳温度下，最大连续漏极电流可达 92 A，确保了可靠的性能。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 130 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列