Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3.6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 913-4060
- 制造商零件编号:
- IRLML9301TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 913-4060
- 制造商零件编号:
- IRLML9301TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 64mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.3W | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.6A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 64mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 1.3W | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.8nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.02mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.4 mm | ||
长度 3.04mm | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，30V 最大漏极源极电压，3.6A 最大连续漏极电流 - IRLML9301TRPBF
这种 MOSFET 半导体专为各种电子应用中的高效电源管理而设计。它采用表面贴装（SOT-23）设计，易于集成到紧凑型电子电路中。该元件可在 3.6A 的最大连续漏极电流下有效工作，并能承受 30V 的最大漏极-源极电压。
特点和优势
• 增强模式配置可实现高效运行
• 栅极阈值电压范围大，可靠性更高
• 更强的热弹性
• 针对拉漏电流额定值进行了优化，提高了性能可靠性
应用
• 用于便携式小工具的电源管理
• 自动化控制系统的理想选择
• 用于音频放大器和信号处理器
• 适用于可再生能源系统中的直流-直流转换器
• 非常适合在机器人中驱动电机
低导通电阻值对性能有何影响？
64mΩ 的低导通电阻降低了运行期间的发热量，提高了整体效率，延长了大电流应用中的元件寿命。
增强模式对电路设计有何益处？
增强模式可使 MOSFET 在达到特定栅极电压之前保持关断状态，为各种电子设计提供可靠的开关控制，而不会造成不必要的功率损耗。
该组件能否承受高温？
是的，它能在高达 +150°C 的温度下可靠运行，因此适用于暴露于恶劣环境或高强度使用的应用。