Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 913-4073
制造商零件编号:: IRLML6344TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列

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制造商零件编号:: IRLML6344TRPBF
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	5A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	SOT-23
	系列	HEXFET
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	37mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	6.8nC
	最大功耗 Pd	1.3W
	最大栅源电压 Vgs	12 V
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	高度	1.02mm
	标准/认证	No
	宽度	1.4 mm
	长度	3.04mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 5A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 SOT-23
	系列 HEXFET
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 37mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.8nC
	最大功耗 Pd 1.3W
	最大栅源电压 Vgs 12 V
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	高度 1.02mm
	标准/认证 No
	宽度 1.4 mm
	长度 3.04mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: PH

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，5A 最大连续漏极电流，30V 最大漏极源极电压 - IRLML6344TRPBF

这款 MOSFET 是高性能 N 沟道表面贴装器件，适用于电子和自动化领域的各种应用。它采用紧凑型 SOT-23 封装，长 3.04 毫米、宽 1.4 毫米、高 1.02 毫米。它具有出色的热性能，工作温度范围为 -55°C 至 +150°C 。

特点和优势

• 提供 5A 连续漏极电流，性能强劲

• 最大漏极-源极电压为 30V，支持各种要求

• VGS = 4.5V 时的 RDS(on) 值低至 29mΩ ，从而降低了功率损耗

• 栅极阈值电压范围宽，操作灵活

• 1.3W 的高效功率耗散能力增强了可靠性

应用

• 电子系统中微控制器负载开关的理想选择

• 用于汽车电源管理解决方案

• 适用于直流-直流转换器，实现高效能源转换

• 适用于电池管理系统，以提高性能

• 适用于自动化任务的电机控制电路

RDS(on) 值偏低有何意义？

较低的 RDS（on）值表明传导损耗较低，从而提高了效率，尤其是在大电流应用中。这一特性对于降低电力电子设备的发热量至关重要。

栅极-源极结上可施加的电压范围是多少？

最大栅极-源极电压为 ±12V，可灵活应对驱动条件，同时确保器件在额定限制内的完整性。

设备在高温下的性能如何？

MOSFET 的最高工作温度为 +150°C ，可承受恶劣环境，确保在要求苛刻的应用中实现可靠功能。

表面贴装设计有哪些优点？

SOT-23 表面贴装设计可实现紧凑的电路布局并加强热管理，是现代电子组装的理想之选。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列