Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 13 A, PG-TO-252, 贴片安装, 3引脚, OptiMOS 2系列

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包装方式:
RS 库存编号:
914-0188
制造商零件编号:
IPD78CN10NGBUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

13 A

最大漏源电压

100 V

系列

OptiMOS 2

封装类型

PG-TO-252

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

80 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

31 W

晶体管配置

最大栅源电压

-20 V、+20 V

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+175 °C

典型栅极电荷@Vgs

8 nC @ 10 V

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.2V

高度

2.41mm

豁免

Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列


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MOSFET 晶体管,Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。