Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=80 A, 3针, TO-220, SIPMOS系列

RS 库存编号:: 914-0194P
制造商零件编号:: SPP80P06PHXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=80 A, 3针, TO-220, SIPMOS系列

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制造商零件编号:: SPP80P06PHXKSA1
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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	80A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	SIPMOS
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	23mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	正向电压 Vf	-1.6V
	最大功耗 Pd	340W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	115nC
	最高工作温度	175°C
	高度	15.95mm
	标准/认证	No
	宽度	4.57mm
	长度	10.36mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 80A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 SIPMOS
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 23mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	正向电压 Vf -1.6V
	最大功耗 Pd 340W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 115nC
	最高工作温度 175°C
	高度 15.95mm
	标准/认证 No
	宽度 4.57mm
	长度 10.36mm
	汽车标准否

Infineon SIPMOS 系列 MOSFET，60V 最大漏源电压，80A 最大连续漏极电流 - SPP80P06PHXKSA1

这款 MOSFET 是一款电源开关设备，专为高电流和高温应用而设计。它作为 P 通道增强型晶体管，采用通孔 TO-220 封装，适用于需要强大耐热性的功率转换和开关任务。该组件支持栅极驱动控制以实现高效传导，适用于需要大量连续漏极电流和较高工作温度的系统。

特性和优点：

• 60V 漏极额定值可实现中压开关能力
• 80A 连续漏极电流支持高电流负载
• 23mΩ 低 Rds(on) 可最大限度减少传导损耗
• 115nC 典型栅极电荷平衡开关和驱动能量
• 340W 最大功耗，支持大量热负载
• Vgs±20V 栅极容差支持灵活的栅极驱动余量

应用

• 适用于电源的大电流DC-DC转换器
• 用于服务器电源导轨的同步整流
• 适用于需要 P 通道切换的电机驱动级
• 可用于电池保护和负载开关电路
• 适用于高达 175°C 的热应力环境

它在运行时可承受的温度范围是多少？

该设备的额定工作温度范围为 -55°C 至 175°C，可用于高温系统。

在接近最大耗散时应如何管理热量？

为了应对 340W 限值，请将合适的散热器安装到 TO-220 插片上，并确保充足的气流以降低结温。

栅极电荷值会带来哪些栅极驱动方面的考量？

由于典型栅极电荷为 115nC，驱动器必须为所需的开关速度提供足够的电流，同时考虑增加的驱动能量和潜在的开关损耗。