Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 5.7 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD80R1K0CEATMA1, CoolMOS CE系列
- RS 库存编号:
- 914-0223
- 制造商零件编号:
- IPD80R1K0CEATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 914-0223
- 制造商零件编号:
- IPD80R1K0CEATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | CoolMOS CE | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 950mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5.7A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 CoolMOS CE | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 950mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.22 mm | ||
高度 2.41mm | ||
长度 6.73mm | ||
汽车标准 否 | ||
不适用
英飞凌 CoolMOS™ CE 系列 MOSFET，5.7A 最大连续漏极电流，83W 最大功率耗散 - IPD80R1K0CEATMA1
这款 MOSFET 采用先进的 CoolMOS CE 技术，具有高达 800V 的高压能力，可为电源管理和通用电子产品提供解决方案。它具有高效率和低导通电阻的特点，在提高可靠性的同时优化了设计。
特点和优势
• 功率密度的提高使系统设计更加紧凑
• 冷却要求降低，从而节省系统成本
• 更低的工作温度提高了系统可靠性
• 高峰值电流能力支持严格的应用
• 可靠的 dv/dt 额定值确保了电压快速变化时的稳定性
• 符合 RoHS 标准，使用时对环境无害
应用
• 用于改造安装的 LED 照明解决方案
• 适用于电源中的 QR 反激式拓扑结构
• 适用于汽车配电系统
• 适用于各种高压工业
MOSFET 如何提高电源管理的系统性能？
它提高了功率密度，降低了热要求，从而提高了效率，降低了运行过程中的能量损耗。
在 LED 照明应用中使用这种设备有什么好处？
它性能可靠，发热量少，有助于延长照明系统的使用寿命和稳定性。
这是否与高频应用兼容？
是的，它的低栅极电荷和高峰值电流能力使其适用于高频操作，确保开关损耗最小。
该器件的最大连续漏极电流是多少？
最大连续漏极电流额定值为 5.7A，适合各种功率密集型应用。
它的工作温度范围是多少？
它可在 -55°C 至 +150°C 温度范围内有效工作，在不同环境下均可使用。