Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 33 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF540NPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 914-8154
制造商零件编号:: IRF540NPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 33 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF540NPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 914-8154
制造商零件编号:: IRF540NPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	33A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	44mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	130W
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	71nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	长度	10.54mm
	宽度	4.69 mm
	高度	8.77mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 33A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 44mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 130W
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 71nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	长度 10.54mm
	宽度 4.69 mm
	高度 8.77mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，33A 最大连续漏极电流，100V 最大漏极源极电压 - IRF540NPBF

这款 MOSFET 专为在各种电子应用中提供高效开关功能和电源管理而设计。该器件的最大连续漏极电流为 33A，最大漏极-源极电压为 100V。该元件采用 TO-220AB 封装，非常适合工业和商业用途，可确保在各种环境条件下的使用寿命和可靠性。

特点和优势

• 采用先进的加工工艺，实现低导通电阻

• 支持快速切换，实现高效运行

• 完全符合雪崩标准，可在恶劣条件下提高可靠性

• 栅极阈值电压范围宽，灵活性强

• 设计用于通孔安装，便于安装

应用

• 电源大电流开关的理想选择

• 用于自动化和控制系统

• 适用于电机控制和驱动电路

• 在可再生能源系统的逆变器和转换器方面卓有成效

该设备的低 RDS(on) 有什么意义？

低 RDS(on)可降低运行期间的功率损耗，从而提高效率，实现更好的热管理，并增强大电流应用的整体性能。

增强模式功能对其使用有何影响？

增强模式允许在施加特定栅极电压之前以低电流运行，因此对于需要精确控制的开关应用而言非常可靠。

TO-220AB 封装设计的重要性是什么？

TO-220AB 封装可确保有效散热，支持高功率耗散水平，同时便于在各种电路配置中安装。

这种 MOSFET 在极端温度下的性能如何？

它能在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内有效工作，可在苛刻的环境中保持性能，即使在充满挑战的条件下也能确保可靠性。

它适合什么类型的开关应用？

它非常适合为需要快速开关的应用中的负载供电，如电机驱动系统、电源转换器和各种电子控制电路。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 33 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF540NPBF, HEXFET系列