Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 94 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF1010ZSTRLPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 915-4923
制造商零件编号:: IRF1010ZSTRLPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 94 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF1010ZSTRLPBF, HEXFET系列

可享批量折扣

小计（1 包，共 10 件）*

¥124.34

(不含税)

¥140.50

有库存

另外 2,910 件在 2025年12月22日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
10 - 190	RMB12.434	RMB124.34
200 - 390	RMB12.063	RMB120.63
400 +	RMB11.699	RMB116.99

* 参考价格

RS 库存编号:: 915-4923
制造商零件编号:: IRF1010ZSTRLPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	94A
	最大漏源电压 Vd	55V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	7.5mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	140W
	正向电压 Vf	-1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	63nC
	最高工作温度	175°C
	宽度	11.3 mm
	标准/认证	No
	高度	4.83mm
	长度	10.67mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 94A
	最大漏源电压 Vd 55V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 7.5mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 140W
	正向电压 Vf -1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC
	最高工作温度 175°C
	宽度 11.3 mm
	标准/认证 No
	高度 4.83mm
	长度 10.67mm
	汽车标准 AEC-Q101

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，94A 最大连续漏极电流，140W 最大功率耗散 - IRF1010ZSTRLPBF

这款表面贴装 MOSFET 可在各种应用中提供卓越的性能。它由英飞凌开发，利用先进的处理技术实现了低导通电阻和高电流处理能力。它在高温环境中的有效性使其成为自动化、电子、电气和机械行业专业人员的重要组件。

特点和优势

• 94A 的高连续漏极电流可支持大负载应用

• 7.5mΩ 的低 RDS（on）最大限度地减少了功率损耗，提高了效率

• 最大漏极-源极电压为 55V，实现了设计灵活性

• 可靠性高，最高工作温度可达 175°C

• 快速开关功能可减少电路响应延迟

• N 沟道配置适用于高级电子设计

应用

• 用于电源管理和转换系统

• 用于自动化技术的电机控制电路中

• 适用于要求高效率的电源设计

• 电动汽车电力电子设备的组成部分

• 用于可再生能源系统，实现有效的能量转换

低导通电阻特性有何意义？

7.5mΩ 的低导通电阻可确保将运行期间的发热量降至最低，从而提高效率并降低冷却要求。

这种 MOSFET 在高温环境下的性能如何？

它的最高工作温度可达 175°C，适合在恶劣条件下使用，而不会降低性能。

该组件需要哪种安装方式？

该器件专为表面贴装应用而设计，可在印刷电路板上实现紧凑的布局和高效的热管理。

它能有效处理脉冲电流吗？

是的，它具有 360A 的额定脉冲漏极电流，能够有效管理瞬态条件。

电路兼容性应考虑哪些特征？

确保栅极阈值电压在 2V 至 4V 之间，以保证电路设计中的正常开关行为。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 94 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF1010ZSTRLPBF, HEXFET系列