Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 85 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF1010NSTRLPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 915-4929
- 制造商零件编号:
- IRF1010NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRF1010NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 85A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 120nC | |
| 最大功耗 Pd | 180W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 宽度 | 11.3 mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 304-44-443 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 85A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 11mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 120nC | ||
最大功耗 Pd 180W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.83mm | ||
宽度 11.3 mm | ||
长度 10.67mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 304-44-443 | ||
N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。