Infineon , 1 P型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5.8 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列, IRF7406TRPBF
- RS 库存编号:
- 915-4951P
- 制造商零件编号:
- IRF7406TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 915-4951P
- 制造商零件编号:
- IRF7406TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 70mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20, -20V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5.8A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 70mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20, -20V | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 5mm | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
P 沟道功率 MOSFET 30V，Infineon
Infineon 的分立式 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包含采用表面贴装与引线封装的 P 沟道器件，其外形规格能够应对几乎任何电路板布局和热设计挑战。全系列产品以业界领先的导通电阻指标降低传导损耗，助力设计者实现最优系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
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