Infineon , 1 N型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 179 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列, IRFR8314TRPBF
- RS 库存编号:
- 915-5027P
- 制造商零件编号:
- IRFR8314TRPBF
- 制造商:
- Infineon
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 915-5027P
- 制造商零件编号:
- IRFR8314TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 179A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20, -20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 7.49mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 179A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20, -20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 单 | ||
高度 2.39mm | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 7.49mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
N 沟道功率 MOSFET 30V，Infineon
Infineon 分立式 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包含采用表面贴装和引脚封装的 N 沟道器件。其外形规格可应对几乎任何电路板布局与散热设计挑战。全系列产品以业界领先的导通电阻指标降低传导损耗，助力设计者实现最优系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供广泛而全面的 MOSFET 器件产品组合，涵盖 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。这些器件以业界领先的性能实现更高效率、功率密度与成本效益。对于需要高品质和增强保护功能的设计，采用符合 AEC-Q101 行业标准的汽车级 MOSFET 将带来显著优势。