Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 30 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRLZ34NSTRLPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 915-5112P
- 制造商零件编号:
- IRLZ34NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 68W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 11.3 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Distrelec Product Id | 304-44-481 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 60mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 68W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 11.3 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.67mm | ||
高度 4.83mm | ||
汽车标准 否 | ||
Distrelec Product Id 304-44-481 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，30A 最大连续漏极电流，68W 最大功率耗散 - IRLZ34NSTRLPBF
这款高性能 N 沟道 MOSFET 可在各种电气应用中实现高效开关和放大。它的连续漏极电流容量为 30A，最大漏极-源极电压为 55V，适合汽车、工业和消费电子应用。其表面贴装设计简化了与现代电路板的集成，使其成为有效电源管理的关键元件。
特点和优势
• 栅极阈值电压低，开关速度更快
• 低 RDS(on)，实现高效功率耗散
• 高热阻允许在高温下运行
• 68 W 的最大功率耗散有助于提高耐用性
• 表面贴装技术支持紧凑型设计
• 高效驱动，栅极电荷高达 5V
应用
• 有效调节电压的电源电路
• 电机控制 瞬息万变
• 提高效率的直流-直流转换器
• 精密仪器，性能可靠
• 汽车 可靠性要求高
该元件能承受的最大持续电流是多少？
该器件可处理最大 30A 的连续漏极电流。
这种 MOSFET 如何管理热性能？
它的最高工作温度为 +175 °C，确保了在高温环境下的可靠性。
它能用于汽车应用领域吗？
是的，其坚固的结构和高温耐受性使其适用于各种汽车电路。
它能支持什么类型的电路配置？
MOSFET 支持增强模式晶体管配置，是开关应用的理想之选。
是否与表面贴装电路设计兼容？
是的，D2PAK（TO-263）封装类型可轻松集成到表面贴装应用中，并便于在电路板上简单贴装。