Wolfspeed N沟道增强型MOS管, Vds=900 V, 35 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 7引脚

可享批量折扣

小计(1 件)*

¥112.31

(不含税)

¥126.91

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 26 个,准备发货
单位
每单位
1 - 12RMB112.31
13 - 24RMB110.06
25 +RMB107.86

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
915-8830
制造商零件编号:
C3M0065090J
制造商:
Wolfspeed
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Wolfspeed

通道类型

N

最大连续漏极电流

35 A

最大漏源电压

900 V

封装类型

D2PAK (TO-263)

安装类型

贴片

引脚数目

7

最大漏源电阻值

78 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.1V

最小栅阈值电压

1.8V

最大功率耗散

113 W

晶体管配置

最大栅源电压

+25 V

最高工作温度

+150 °C

长度

10.23mm

典型栅极电荷@Vgs

30 nC @ 15 V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

SiC

宽度

10.99mm

高度

4.57mm

正向二极管电压

4.4V

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
CN

Wolfspeed碳化硅功率MOSFET


Wolfspeed Z-Fet™,C2M™和C3M™碳化硅功率MOSFET。Cree功率分部Wolfspeed推出的一系列第二代 SiC MOSFET,可提供行业领先的功率密度和切换效率。这些低电容设备可实现更高的切换频率,并降低了散热要求,从而提高了整体系统工作效率。

• 增强模式N通道SiC技术

• 高漏极-击穿电压-高达1200V

• 多个设备易于并联,驱动简单

• 高速开关,导通电阻低

• 防闩锁操作

MOSFET 晶体管,Wolfspeed